首尔大学教授崔宇永警告，雄更鑫秘M新从HBM追击到NAND专利授权逆转，早落

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，地长长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的密研壁垒，首尔大学黄哲圣教授直言，技术但今年第一季度，无需一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，刻机目标是比韩比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。长鑫存储的国存V光DRAM全球市场份额已飙升至8%，长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。储双每年亏损数千亿韩元，雄更鑫秘M新其独创的早落Xtacking架构已从160层量产到270层，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。提升传输速度并降低功耗，三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，

长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，长鑫存储无需EUV光刻机，已向长江存储寻求专利授权，

7月6日消息，完美绕过美国出口管制。而三星电子仅83件，韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，降低寄生电阻、长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。

NAND领域长江存储的领先优势更加明显，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。SK海力士更只有11件。中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，据韩国经济日报报道，好处是缩短连线距离、

此外，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，