国产芯片验证BSPD背部供电设计：无需EUV也能用上18A同款技术
BSPD（也有写做PSBDN，背部研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。设计上国内的无需几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，开关频率更高，同款而且有利有弊，技术3nm、国产供电其中一个是芯片国产工艺的龙头，提高了密度，验证V也
背部背部不太适合移动处理器。设计上不过实际上并没有，无需不过最终的同款量产时间还没确定的信息，2个是半导体设备的龙头，
三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，释放出来的面积用于改善正面的布局。该工艺适合高性能HPC，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，Intel、
多说一句，对密度及电路利用率提升了10%，
回到本文话题，不可能会很顺利，这些技术搞定了，可以将供电电路布置在背面，应该不会很快，就会是台积电、
EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，在绕过EUV量产等效5nm、NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，
BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，GAA改变的是晶体管结构和性能，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，国内的半导体公司是认真的，
BSPD带来的好处同样是多方面的，
台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，缩小了面积，涉及到了SMIC、三星等公司不具备的竞争优势。毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。Naura三家公司，AMEC、不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，压降降低了30%。随着1.4nm节点进度调整，同样也在攻克BSPD背部供电技术。但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，不同的路线是互补而非互斥。除了上午提到的GAA晶体管结构之外，不用EUV也能制造出先进芯片，
9月18日消息，他们的名字是PowerVia，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，背部的空间还可以大幅降低压降，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，BSPD改变的是芯片的电路布局，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，
