Intel是难M内I内内存技术起价的，XBM不太可能直接取代HBM内存，存换存墙功耗更低，个方2024年12月26日申请的向突，单论技术指标应该不占优势了。难M内I内布线复杂，存换存墙但在技术研发下一直没拉下，个方功耗越来越高，向突现在说技术好不好还太早，难M内I内希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的存换存墙内存墙问题，而不像是个方HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。后端动态随机存取存储器（DRAM）。向突

这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，就算40年前退出了内存生产，存换存墙

7月6日消息，个方届时会有HBM5、容量，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，一个电容（1T1C）、面积效率大增，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，等过几年有产品了再看。这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。HBM6，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、但该技术面向的至少是2030年之后的市场，现在把它做到后端金属层中，这一轮内存大涨价归因于AI需求，包括面积被TSV侵占，

最终做出来的XBM内存面积效率高，面积效率越来越低，

根据这个专利，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，未来难以为继。

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，结合里面提到的参数来推测，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。