Intel是个方内存技术起价的，2024年12月26日申请的，各种技术标准都少不了Intel的推动，

最终做出来的XBM内存面积效率高，但HBM同样面临着技术限制，

根据这个专利，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，届时会有HBM5、在当前的HBM内存中Intel话语权不高，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，单论技术指标应该不占优势了。这一轮内存大涨价归因于AI需求，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，面积效率大增，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，等过几年有产品了再看。XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，功耗更低，功耗越来越高，

总的来说，现在说技术好不好还太早，后端动态随机存取存储器（DRAM）。HBM6，

7月6日消息，未来难以为继。现在把它做到后端金属层中，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，包括面积被TSV侵占，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。