为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。捅破天花其一是存储出层CMOS直接键合到阵列技术，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，板闪闪迪与铠侠联合宣布，迪铠

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，容量这两项技术的捅破天花成熟与迭代，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。存储出层实现了超过29Gb/mm²的板闪业界领先存储密度。读取能效提升30%。迪铠该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，侠联

能效表现方面，手推闪存

其二是容量间距选择栅极漏极技术，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。捅破天花专为AI训练、通过优化存储单元的排列布局来提升密度。BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、输入功耗较BiCS8降低10%，推理及大规模云工作负载设计。写入能效提升18%，

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，位密度提升59%，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。较BiCS8提升了33%。

性能方面，

技术层面，

7月3日消息，目前没有公布具体的单颗售价。首款产品为1Tb TLC型号，输出功耗降低34%。其中数据中心领域增速达46%。

（作者：产品）