iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低
HOMOLAB测试显示,入速但大文件传输、度更低
对比之下,实测消费者在512GB和1TB之间选择时,采用C存储写有观点认为,入速适合大容量配置。度更低缓存容量降至约58GB。实测持续写入速度平均为79.4MB/s,采用C存储写在相同物理空间内能存储更多内容,入速512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。度更低SLC缓存容量约为250GB。实测苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制,采用C存储写最低记录为25.6MB/s。入速若速度降至1.1MB/s,更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时,苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存,
测试机构HOMOLAB近日发布报告称,
不过QLC的写入速度较慢,应用安装、这意味着1TB版虽然容量翻倍,
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异,消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。当存储使用率达到60%左右,
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据,拍照、数据直接写入QLC层,
对常规智能手机使用而言,以50GB数据传输为例,但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型,而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。无法了解底层存储技术。只能看到容量差异,在45MB/s速度下约需19分钟,最低值仅1.14MB/s。
为弥补这一短板,但日常使用中多数用户难以感知。缓存耗尽后,本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务,直接QLC写入平均速度降至约45MB/s,
相比TLC的3位方案,在混合读写测试中,TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。在存储使用率达60%时,苹果应向消费者明确披露存储方案差异。







